%A 郑宏 %T 真空蒸镀中蒸镀源冷却时间对LED芯片性能的影响 %0 Journal Article %D 2020 %J 家电科技 %R 10.19784/j.cnki.issn1672-0172.2020.01.010 %P 70-73 %V 0 %N 1 %U {http://www.jdkjjournal.com/CN/abstract/article_642.shtml} %8 2020-02-01 %X 主要介绍了LED红光芯片的常规正装垂直结构,以Cr/Ti/Al结构作为金属P电极,在真空蒸镀过程中各层间的蒸镀源冷却时间对LED芯片性能的影响。通过实验Cr/Ti间、Ti/Al间不同蒸镀源冷却时间反映出,对于单层Cr/Ti间冷却时间缩短,或双层Cr/Ti间及Ti/Al间蒸镀源冷却时间缩短到一定时间内,均可以有效降低LED芯片在生产制备环节中的电压,而对亮度影响较小,说明层间界面电阻在一定程度上会受蒸镀源冷却时间的影响。